额定电压DC 800 V
额定电流 33.0 A
输入电容 5.20 nF
栅电荷 195 nC
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 33.0 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 5200pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 520000 mW
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227
封装 SOT-227
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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APT8020JFLL | Microsemi 美高森美 | 功率MOS 7TM是新一代低损耗,高电压,N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: APT8020JFLL 品牌: Microsemi 美高森美 封装: SOT-227 800V 33A 5.2nF | 当前型号 | 功率MOS 7TM是新一代低损耗,高电压,N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. | 当前型号 | |
型号: APT8020JLL 品牌: 美高森美 封装: SOT-227 N-CH 800V 33A 5.2nF | 类似代替 | SOT-227 N-CH 800V 33A | APT8020JFLL和APT8020JLL的区别 | |
型号: APT8014JLL 品牌: 美高森美 封装: SOT-227 N-CH 800V 42A 7.24nF | 类似代替 | SOT-227 N-CH 800V 42A | APT8020JFLL和APT8014JLL的区别 | |
型号: APT8024JLL 品牌: 美高森美 封装: SOT-227 N-CH 800V 29A 4.67nF | 类似代替 | SOT-227 N-CH 800V 29A | APT8020JFLL和APT8024JLL的区别 |