VNB20N0713TR、VNB20N07TR-E、VNB20N07对比区别

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型号 VNB20N0713TR VNB20N07TR-E VNB20N07

描述 STMICROELECTRONICS VNB20N0713TR MOSFET Transistor, N Channel, 20A, 70V, 0.05Ω, 10V, 800mVOMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronics？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器电源管理开关电源

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

输出接口数 1 1 1

输出电流 - 28 A -

供电电流 - 0.25 mA -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 0.05 Ω 50.0 mΩ 50.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 83 W 83 W 83.0 W

漏源击穿电压 70 V 70.0 V 70.0 V

连续漏极电流(Ids) 20.0 A 20.0 A 10.0 A

输入电压(Max) - 18 V -

输出电流(Max) 14 A 14 A 14 A

输入数 - 1 -

耗散功率(Max) - 83000 mW -

输入电压 - 18 V -

额定电压(DC) 70.0 V - 70.0 V

额定电流 20.0 A - 20.0 A

通道数 1 - -

阈值电压 800 mV - -

漏源极电压(Vds) 70 V - -

上升时间 240 ns - -

下降时间 150 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

长度 - 10.28 mm -

宽度 - 9.35 mm -

高度 - 4.6 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99