锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

VNB20N07TR-E

VNB20N07TR-E

数据手册.pdf

OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关,STMicroelectronics

OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronics

OMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。

线性电流限制

热关闭

短路保护

ESD 保护

一体式夹


得捷:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK


欧时:
### OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关,STMicroelectronics


立创商城:
VNB20N07TR-E


e络盟:
电源负载开关, 低压侧, TO-263-3


艾睿:
Who knew safely switching between various voltage levels in an electronic circuit would be so easy with this low side VNB20N07TR-E power switch by STMicroelectronics. This charge controller has single output. It features 0.07Max Ohm switch on resistance. This charge controller has an input voltage of 18Max V. This device has a maximum power dissipation of 83000 mW. This device has a supply current of 0.25 mA and a minimum output current of 14 A. Its maximum power dissipation is 83000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery.


安富利:
Power Switch Lo Side 14A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
N-沟道 70 V 0.05 Ω 60 nC "OMNIFET" 自保护 功率 Mosfet - D2PAK


Chip1Stop:
Power Switch Lo Side 14A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 18V 28A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**LSS 50mOhm 70V TO263-3 SMD **


Win Source:
MOSFET OMNIFET 70V 20A D2PAK


VNB20N07TR-E中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 1

输出电流 28 A

供电电流 0.25 mA

针脚数 3

漏源极电阻 50.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

漏源击穿电压 70.0 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

输入电压Max 18 V

输出电流Max 14 A

输入数 1

耗散功率Max 83000 mW

输入电压 18 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.28 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

VNB20N07TR-E引脚图与封装图
暂无图片
在线购买VNB20N07TR-E
型号 制造商 描述 购买
VNB20N07TR-E ST Microelectronics 意法半导体 OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronics OMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。 线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关,STMicroelectronics 搜索库存
替代型号VNB20N07TR-E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: VNB20N07TR-E

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装:

当前型号

OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关,STMicroelectronics

当前型号

型号: VNB20N0713TR

品牌: 意法半导体

封装: TO-263-3 3Pin

类似代替

STMICROELECTRONICS VNB20N0713TR MOSFET Transistor, N Channel, 20A, 70V, 0.05Ω, 10V, 800mV

VNB20N07TR-E和VNB20N0713TR的区别