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IPD50N10S3L-16、SUD50N10-18P-E3、STD40NF10对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPD50N10S3L-16 SUD50N10-18P-E3 STD40NF10

描述 INFINEON  IPD50N10S3L-16  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.0125 ohm, 10 V, 1.7 VN沟道100 - V(D -S), 175 ℃下的MOSFET N-Channel 100-V (D-S), 175 °C MOSFETSTMICROELECTRONICS  STD40NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3

通道数 1 - 1

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0125 Ω - 0.025 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 100 W 3 W 125 W

阈值电压 1.7 V - 3 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 50A 8.2A 50A

上升时间 5 ns 10 ns 46 ns

输入电容(Ciss) 3215pF @25V(Vds) 2600pF @50V(Vds) 2180pF @25V(Vds)

下降时间 5 ns 8 ns 13 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 100000 mW 3000 mW 125W (Tc)

额定功率(Max) - 3 W 125 W

长度 6.5 mm - 6.6 mm

宽度 6.22 mm - 6.2 mm

高度 2.3 mm - 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -