锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

STD40NF10

STMICROELECTRONICS  STD40NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 V

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


立创商城:
N沟道 100V 50A


得捷:
MOSFET N-CH 100V 50A DPAK


欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD40NF10, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of STMicroelectronics&s; STD40NF10 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 125000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This device utilizes stripfet ii technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
N-沟道 100 V 0.028 Ohm 表面贴装 StripFET II 功率 MosFet - TO-252-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STD40NF10  MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 V


DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 50A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 50A DPAK


STD40NF10中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.025 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 50A

上升时间 46 ns

输入电容Ciss 2180pF @25VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 13 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STD40NF10引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STD40NF10
型号 制造商 描述 购买
STD40NF10 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STD40NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号STD40NF10
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STD40NF10

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: DPAK N-Channel 100V 50A

当前型号

STMICROELECTRONICS  STD40NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号: FDD3672

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252 N-Channel 100V 44A 28mohms 1.71nF

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD3672  晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 100 V, 0.024 ohm, 10 V, 4 V

STD40NF10和FDD3672的区别

型号: FDD86102

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252 N-Channel 100V 8A

功能相似

PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

STD40NF10和FDD86102的区别

型号: IPD30N10S3L34ATMA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 100V 30A

功能相似

INFINEON  IPD30N10S3L34ATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 100 V, 0.0258 ohm, 10 V, 1.7 V

STD40NF10和IPD30N10S3L34ATMA1的区别