锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
IPD50N10S3L-16

IPD50N10S3L-16

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPD50N10S3L-16  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.0125 ohm, 10 V, 1.7 V

* N-channel - Enhancement mode * Automotive AEC Q101 qualified * MSL1 up to 260°C peak reflow * 175°C operating temperature * Green product RoHS compliant * 100% Avalanche tested


立创商城:
IPD50N10S3L-16


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin TO-252 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


儒卓力:
**N-CH 100V 50A 15mOhm TO252-3 **


DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3


IPD50N10S3L-16中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0125 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 100 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 50A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 3215pF @25VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 HID lighting, 48V inverter, 48V DC/DC

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPD50N10S3L-16引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPD50N10S3L-16
型号 制造商 描述 购买
IPD50N10S3L-16 Infineon 英飞凌 INFINEON  IPD50N10S3L-16  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.0125 ohm, 10 V, 1.7 V 搜索库存
替代型号IPD50N10S3L-16
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IPD50N10S3L-16

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-252 N-Channel 100V 50A

当前型号

INFINEON  IPD50N10S3L-16  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.0125 ohm, 10 V, 1.7 V

当前型号

型号： STD40NF10

品牌： 意法半导体

封装： DPAK N-Channel 100V 50A

功能相似

STMICROELECTRONICS  STD40NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 V

IPD50N10S3L-16和STD40NF10的区别

型号： SUD50N10-18P-E3

品牌： 威世

封装： TO-252，（D-Pak N-CH 100V 8.2A

功能相似

N沟道100 - V（D -S）， 175 ℃下的MOSFET N-Channel 100-V D-S, 175 °C MOSFET

IPD50N10S3L-16和SUD50N10-18P-E3的区别