IRF2807ZPBF、IRFB3307ZPBF、IRFB3607PBF对比区别

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型号 IRF2807ZPBF IRFB3307ZPBF IRFB3607PBF

描述 INFINEON  IRF2807ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 75 V, 9.4 mohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRFB3307ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 5.8 mohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRFB3607PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.00734 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 170 W 230 W 140 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0094 Ω 0.0058 Ω 0.00734 Ω

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 170 W 230 W 140 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

输入电容 3270 pF 4750 pF 3070 pF

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 89A 120A 80A

上升时间 79 ns 64 ns 110 ns

输入电容(Ciss) 3270pF @25V(Vds) 4750pF @50V(Vds) 3070pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 170 W 230 W 140 W

下降时间 45 ns 65 ns 96 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 170W (Tc) 230W (Tc) 140W (Tc)

漏源击穿电压 75 V - -

长度 10.67 mm 10.66 mm 10.66 mm

宽度 4.83 mm 4.82 mm 4.82 mm

高度 16.51 mm 9.02 mm 9.02 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99