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IRFB3307ZPBF

IRFB3307ZPBF

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Infineon 英飞凌 分立器件

INFINEON  IRFB3307ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 5.8 mohm, 10 V, 4 V

电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET,

### 电动机控制 MOSFET

Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。

### 同步整流器 MOSFET

同步整流 MOSFET 设备的组合,适用于交流-直流电源,支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。


得捷:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB


欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3307ZPBF, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装


立创商城:
N沟道 75V 120A


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 75 V, 120 A, 0.0058 ohm, TO-220AB, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 75V 120A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin3+Tab TO-220AB


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin3+Tab TO-220AB


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 75V 120A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# INFINEON  IRFB3307ZPBF  MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 75 V, 5.8 mohm, 10 V, 4 V


儒卓力:
**N-CH 75V 128A 5,8mOhm TO220-3 **


Win Source:
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB


IRFB3307ZPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 230 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.0058 Ω

极性 N-CH

耗散功率 230 W

阈值电压 4 V

输入电容 4750 pF

漏源极电压Vds 75 V

连续漏极电流Ids 120A

上升时间 64 ns

输入电容Ciss 4750pF @50VVds

额定功率Max 230 W

下降时间 65 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 230W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.66 mm

宽度 4.82 mm

高度 9.02 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, 工业, Industrial, Battery Operated Drive, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

IRFB3307ZPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRFB3307ZPBF Infineon 英飞凌 INFINEON  IRFB3307ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 5.8 mohm, 10 V, 4 V 搜索库存
替代型号IRFB3307ZPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFB3307ZPBF

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-CH 75V 120A

当前型号

INFINEON  IRFB3307ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 5.8 mohm, 10 V, 4 V

当前型号

型号: IRF2807ZPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 75V 89A

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