2N7002ET1G、SS12、2N7002E-T1-E3对比区别

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型号 2N7002ET1G SS12 2N7002E-T1-E3

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N7002ET1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 VON Semiconductor 二极管 SS12 肖特基, Io=1A, Vrev=20V, 2引脚 DO-214AC (SMA)封装VISHAY  2N7002E-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 240mA TO-236, 整卷

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管肖特基二极管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 2 3

封装 SOT-23-3 DO-214AC TO-236

针脚数 3 2 3

漏源极电阻 0.86 Ω - 3 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 420 mW 1.1 W 350 mW

阈值电压 1 V - 2 V

漏源极电压(Vds) 60 V - 60 V

漏源击穿电压 - - 70.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 310 mA - 240 mA

输入电容(Ciss) 26.7pF @25V(Vds) - 21pF @5V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 125 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 1100 mW 350 mW

无卤素状态 Halogen Free - -

通道数 1 - -

输入电容 26.7 pF - -

上升时间 1.2 ns - -

正向电压(Max) 1.2 V 500 mV -

额定功率(Max) 300 mW - -

下降时间 3.6 ns - -

正向电压 - 500 mV -

热阻 - 88℃/W (RθJA) -

正向电流 - 1 A -

最大正向浪涌电流（Ifsm） - 40 A -

正向电流(Max) - 1 A -

高度 0.94 mm 2.2 mm 1.02 mm

封装 SOT-23-3 DO-214AC TO-236

长度 2.9 mm 4.75 mm -

宽度 1.3 mm 2.95 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -