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ULN2003AIDR、ULQ2003ATDQ1、ULN2003ADR2G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ULN2003AIDR ULQ2003ATDQ1 ULN2003ADR2G

描述 TEXAS INSTRUMENTS  ULN2003AIDR  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC高电压大CRRENT达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE HIGH-CRRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYON SEMICONDUCTOR  ULN2003ADR2G.  达林顿晶体管 阵列, NPN, X7, 50V, 16-SOIC

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 16 16 16

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

无卤素状态 - - Halogen Free

输出接口数 - 7 7

输出电压 - - 50 V

输出电流 - - 500 mA

通道数 - - 7

针脚数 16 - 16

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) - - 1000 @350mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) - - 1000

输出电流(Max) - 500 mA 500 mA

直流电流增益(hFE) - - 1000

工作温度(Max) 105 ℃ 105 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -20 ℃

输入电压 - - 30 V

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -

额定电流 500 mA 500 mA -

耗散功率 - 950 mW -

驱动器/包 7 7 -

额定功率(Max) - 950 mW -

宽度 3.91 mm 3.91 mm 4 mm

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

长度 - 9.9 mm -

高度 - 1.58 mm -

工作温度 -40℃ ~ 105℃ (TA) -40℃ ~ 105℃ (TA) -20℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99