MTB50P03HDL、MTB50P03HDLT4、MTB50P03HDLT4G对比区别

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型号 MTB50P03HDL MTB50P03HDLT4 MTB50P03HDLT4G

描述 功率MOSFET 50安培， 30伏特，逻辑电平P沟道D2PAK Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level P−Channel D2PAK功率MOSFET 50安培， 30伏特，逻辑电平P沟道D2PAK Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level P−Channel D2PAKON SEMICONDUCTOR  MTB50P03HDLT4G.  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 50A, D2-PAK

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 D2PAK-263 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 3 - 3

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -30.0 V

额定电流 -50.0 A -50.0 A -50.0 A

通道数 - 1 -

漏源极电阻 25.0 mΩ 25 mΩ 0.025 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 125 W 125 W 125 W

漏源极电压(Vds) 30.0 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30 V 30.0 V

栅源击穿电压 ±15.0 V ±15.0 V ±15.0 V

连续漏极电流(Ids) 50.0 A 50.0 A 50.0 A

上升时间 340 ns 340 ns 340 ns

输入电容(Ciss) 3500pF @25V(Vds) 4900pF @25V(Vds) 4900pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W

下降时间 218 ns 218 ns 218 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 125000 mW 2.5W (Ta), 125W (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc)

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 1.5 V

输入电容 3.50 nF - -

栅电荷 100 nC - -

长度 - 10.29 mm 10.29 mm

宽度 - 9.65 mm 9.65 mm

高度 - 4.83 mm 4.83 mm

封装 D2PAK-263 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99