DS1230Y-120IND、DS1230AB-120IND+、DS1230Y-70IND+对比区别

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型号 DS1230Y-120IND DS1230AB-120IND+ DS1230Y-70IND+

描述 IC NVSRAM 256Kbit 120NS 28DIP非易失性SRAM (NVSRAM), 256Kbit, 32K x 8位, 120ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230Y-70IND+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 - 28

封装 EDIP-28 EDIP-28 EDIP-28

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) - 5.00 V, 5.50 V (max)

针脚数 - 28 28

时钟频率 120 GHz - 70.0 GHz

存取时间 120 ns 120 ns 70 ns

内存容量 32000 B - 32000 B

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5.25 V 5.5 V

电源电压(Min) - 4.75 V 4.5 V

长度 39.12 mm - 39.37 mm

宽度 18.8 mm - 18.8 mm

高度 9.4 mm - 10.67 mm

封装 EDIP-28 EDIP-28 EDIP-28

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free