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DS1230Y-120IND

DS1230Y-120IND

数据手册.pdf
Maxim Integrated(美信) 电子元器件分类

IC NVSRAM 256Kbit 120NS 28DIP

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 256Kb 32K x 8 Parallel 120ns 28-EDIP


得捷:
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP


贸泽:
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM


DS1230Y-120IND中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

时钟频率 120 GHz

存取时间 120 ns

内存容量 32000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 28

封装 EDIP-28

外形尺寸

长度 39.12 mm

宽度 18.8 mm

高度 9.4 mm

封装 EDIP-28

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DS1230Y-120IND引脚图与封装图
DS1230Y-120IND引脚图

DS1230Y-120IND引脚图

DS1230Y-120IND封装图

DS1230Y-120IND封装图

DS1230Y-120IND封装焊盘图

DS1230Y-120IND封装焊盘图

在线购买DS1230Y-120IND
型号 制造商 描述 购买
DS1230Y-120IND Maxim Integrated 美信 IC NVSRAM 256Kbit 120NS 28DIP 搜索库存
替代型号DS1230Y-120IND
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DS1230Y-120IND

品牌: Maxim Integrated 美信

封装: DIP 32000B 5V 120ns 28Pin

当前型号

IC NVSRAM 256Kbit 120NS 28DIP

当前型号

型号: DS1230Y-120IND+

品牌: 美信

封装: DIP 32000B 5V 120ns 28Pin

完全替代

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230Y-120IND+  芯片, 存储器, NVRAM

DS1230Y-120IND和DS1230Y-120IND+的区别

型号: DS1230Y-120+

品牌: 美信

封装: DIP 32000B 5V 120ns 28Pin

类似代替

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230Y-120+  芯片, 存储器, NVRAM

DS1230Y-120IND和DS1230Y-120+的区别

型号: DS1230Y-70IND+

品牌: 美信

封装: DIP 32000B 5V 70ns 28Pin

类似代替

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DS1230Y-120IND和DS1230Y-70IND+的区别