PDTA113ZE、PDTA113ZE,115对比区别

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型号 PDTA113ZE PDTA113ZE,115

描述 PNP电阻配备晶体管; R 1 = 1千瓦， R2 = 10千瓦 PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 10 kWSC-75 PNP 50V 100mA

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

引脚数 - -

封装 SOT-416 SOT-416-3

安装方式 Surface Mount Surface Mount

耗散功率 - -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

最小电流放大倍数(hFE) 35 @5mA, 5V 35 @5mA, 5V

额定功率(Max) 150 mW 150 mW

工作温度(Max) - -

工作温度(Min) - -

耗散功率(Max) - -

极性 PNP PNP

集电极最大允许电流 100mA 100mA

长度 - -

宽度 - -

高度 - -

封装 SOT-416 SOT-416-3

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

工作温度 - -65℃ ~ 150℃