PDTA113ZE
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NXP
恩智浦
分立器件
PDTA113ZE中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 35 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-416
外形尺寸
封装 SOT-416
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PDTA113ZE引脚图与封装图
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在线购买PDTA113ZE
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTA113ZE | NXP 恩智浦 | PNP电阻配备晶体管; R 1 = 1千瓦， R2 = 10千瓦 PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 10 kW | 搜索库存 |
替代型号PDTA113ZE
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PDTA113ZE 品牌： NXP 恩智浦 封装： SC-75 PNP | 当前型号 | PNP电阻配备晶体管; R 1 = 1千瓦， R2 = 10千瓦 PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 10 kW | 当前型号 |
| 型号： PDTA113ZE,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT416 PNP | 类似代替 | SC-75 PNP 50V 100mA | PDTA113ZE和PDTA113ZE,115的区别 |
| 型号： DTA113ZE 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | PDTA113Z series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kOhm, R2 = 10 kOhm SC-75 3-Pin | PDTA113ZE和DTA113ZE的区别 |