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PDTA113ZE,115

PDTA113ZE,115

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

SC-75 PNP 50V 100mA

- 双极 BJT - 单,预偏置 PNP - 预偏压 50 V 100 mA 150 mW 表面贴装型 SC-75


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-75 T/R


安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SC-75 T/R


PDTA113ZE,115中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 35 @5mA, 5V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-416-3

外形尺寸

封装 SOT-416-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PDTA113ZE,115引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
PDTA113ZE,115 NXP 恩智浦 SC-75 PNP 50V 100mA 搜索库存
替代型号PDTA113ZE,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PDTA113ZE,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT416 PNP

当前型号

SC-75 PNP 50V 100mA

当前型号

型号: PDTA113ZE

品牌: 恩智浦

封装: SC-75 PNP

类似代替

PNP电阻配备晶体管; R 1 = 1千瓦, R2 = 10千瓦 PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 10 kW

PDTA113ZE,115和PDTA113ZE的区别

型号: DTA113ZE

品牌: 恩智浦

封装:

功能相似

PDTA113Z series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kOhm, R2 = 10 kOhm SC-75 3-Pin

PDTA113ZE,115和DTA113ZE的区别