IPD079N06L3GBTMA1、IPD50N06S4L12ATMA2、IRFR1018EPBF对比区别

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型号 IPD079N06L3GBTMA1 IPD50N06S4L12ATMA2 IRFR1018EPBF

描述 INFINEON  IPD079N06L3GBTMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.7 V晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0096 ohm, 10 V, 1.7 VINFINEON  IRFR1018EPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 60 V, 7.1 mohm, 20 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 79 W - 110 W

通道数 1 - 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0063 Ω 0.0096 Ω 0.0071 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 79 W 50 W 110 W

阈值电压 1.7 V 1.7 V 4 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 50A 50A 79A

上升时间 26 ns 2 ns 35 ns

输入电容(Ciss) 3700pF @30V(Vds) 2220pF @25V(Vds) 2290pF @50V(Vds)

额定功率(Max) - - 110 W

下降时间 7 ns 5 ns 46 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 79 W 50000 mW 110W (Tc)

长度 6.73 mm - 6.73 mm

宽度 6.223 mm - 6.22 mm

高度 2.413 mm - 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -