TPS1100D、TPS1100DR、FDS4435BZ对比区别

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型号 TPS1100D TPS1100DR FDS4435BZ

描述 单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4435BZ  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 0.016 ohm, -10 V, -2.1 V

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) -15.0 V - -30.0 V

额定电流 -1.60 A - -8.80 A

输出电压 -15.0 V - -

漏源极电阻 0.18 Ω - 0.016 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 791 mW 0.791 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 15 V 15 V 30 V

连续漏极电流(Ids) -1.60 A 1.6A -8.80 A

上升时间 10 ns 10 ns 6 ns

额定功率(Max) 791 mW 791 mW 1 W

下降时间 2 ns 2 ns 12 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 791mW (Ta) 791mW (Ta) 2.5W (Ta)

通道数 - 1 1

针脚数 - - 8

输入电容 - - 1.36 nF

栅电荷 - - 41.0 nC

栅源击穿电压 - - ±25.0 V

输入电容(Ciss) - - 1845pF @15V(Vds)

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm 5 mm

宽度 - 3.91 mm 4 mm

高度 - 1.75 mm 1.5 mm

材质 Silicon - -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

香港进出口证 NLR - -

ECCN代码 - - EAR99