IRF540NSTRLPBF、STB30NF10T4、IRF540NSTRRPBF对比区别

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型号 IRF540NSTRLPBF STB30NF10T4 IRF540NSTRRPBF

描述 100V,33A,N沟道功率MOSFETSTMICROELECTRONICS  STB30NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 100 V, 38 mohm, 10 V, 3 VINFINEON  IRF540NSTRRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 0.044 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 - - 3.8 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.044 Ω 0.038 Ω 0.044 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 130 W 115 W 130 W

阈值电压 4 V 3 V 4 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 33.0 A 15.0 A 33A

上升时间 35.0 ns 40 ns 35 ns

输入电容(Ciss) 1960pF @25V(Vds) 1180pF @25V(Vds) 1960pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 130 W 115 W 130 W

下降时间 - 10 ns 35 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 130W (Tc) 115W (Tc) 130W (Tc)

额定电压(DC) 100 V 100 V -

额定电流 33.0 A 35.0 A -

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 100 V 100 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

产品系列 IRF540NS - -

输入电容 1960pF @25V - -

长度 10.67 mm 10.4 mm 10.67 mm

宽度 - 9.35 mm 9.65 mm

高度 4.83 mm 4.6 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -