额定电压DC 100 V
额定电流 33.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.044 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 130 W
产品系列 IRF540NS
阈值电压 4 V
输入电容 1960pF @25V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 33.0 A
上升时间 35.0 ns
输入电容Ciss 1960pF @25VVds
额定功率Max 130 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 130W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF540NSTRLPBF | International Rectifier 国际整流器 | 100V,33A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF540NSTRLPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: TO-263 N-Channel 100V 33A | 当前型号 | 100V,33A,N沟道功率MOSFET | 当前型号 | |
型号: IRF540NSPBF 品牌: 国际整流器 封装: TO-263 N-Channel 100V 33A | 完全替代 | INTERNATIONAL RECTIFIER IRF540NSPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 33A, D2-PAK 新 | IRF540NSTRLPBF和IRF540NSPBF的区别 | |
型号: STB30NF10T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-263 N-Channel 100V 15A 38mohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB30NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 100 V, 38 mohm, 10 V, 3 V | IRF540NSTRLPBF和STB30NF10T4的区别 |