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IRF540NSTRLPBF

IRF540NSTRLPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

100V,33A,N沟道功率MOSFET

**HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon**

HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.


e络盟:
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF540NSTRLPBF  场效应管, MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


力源芯城:
100V,33A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK


IRF540NSTRLPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 33.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.044 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 130 W

产品系列 IRF540NS

阈值电压 4 V

输入电容 1960pF @25V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 33.0 A

上升时间 35.0 ns

输入电容Ciss 1960pF @25VVds

额定功率Max 130 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 130W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IRF540NSTRLPBF引脚图与封装图
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IRF540NSTRLPBF International Rectifier 国际整流器 100V,33A,N沟道功率MOSFET 搜索库存
替代型号IRF540NSTRLPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF540NSTRLPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-263 N-Channel 100V 33A

当前型号

100V,33A,N沟道功率MOSFET

当前型号

型号: IRF540NSPBF

品牌: 国际整流器

封装: TO-263 N-Channel 100V 33A

完全替代

INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF540NSPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 33A, D2-PAK 新

IRF540NSTRLPBF和IRF540NSPBF的区别

型号: STB30NF10T4

品牌: 意法半导体

封装: TO-263 N-Channel 100V 15A 38mohms

功能相似

STMICROELECTRONICS  STB30NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 100 V, 38 mohm, 10 V, 3 V

IRF540NSTRLPBF和STB30NF10T4的区别