BU406D、BUV11、MJE13005G对比区别

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型号 BU406D BUV11 MJE13005G

描述 t-Npn Si- Hiv SwSITCHMODE系列NPN硅功率晶体管 SITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor4安培NPN硅功率晶体管400伏 - 75瓦 4 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 75 WATTS

数据手册 ---

制造商 NTE Electronics ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 分立器件双极性晶体管

安装方式 - - Through Hole

引脚数 - - 3

封装 - TO-3 TO-220-3

频率 - - 4 MHz

额定电压(DC) - - 400 V

额定电流 - - 4.00 A

极性 - - NPN

耗散功率 - - 2 W

击穿电压(集电极-发射极) - - 400 V

热阻 - - 1.67℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 - - 4A

最小电流放大倍数(hFE) - - 8 @2A, 5V

额定功率(Max) - - 2 W

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 75000 mW

封装 - TO-3 TO-220-3

材质 - - Silicon

工作温度 - - -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 - - Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - - EAR99