SPD09P06PL、SPD09P06PLG、SPU09P06PL对比区别

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型号 SPD09P06PL SPD09P06PLG SPU09P06PL

描述 SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor60V,-9.7A,P沟道功率MOSFETSIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-251-3

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) -60.0 V - -60.0 V

额定电流 -9.70 A - -9.70 A

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 400 mΩ

极性 P-CH P-Channel P-CH

耗散功率 42W (Tc) - 42 W

漏源极电压(Vds) 60 V - 60 V

漏源击穿电压 - - 60 V

连续漏极电流(Ids) 9.7A - 9.70 A

上升时间 - - 168 ns

输入电容(Ciss) 450pF @25V(Vds) - 450pF @25V(Vds)

下降时间 - - 89 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 42W (Tc) 42 W 42W (Tc)

长度 - 6.73 mm 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm 2.38 mm

高度 - 2.41 mm 6.22 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-251-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -