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SPD09P06PL

SPD09P06PL

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

表面贴装型 P 通道 60 V 9.7A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3


得捷:
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3


SPD09P06PL中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -9.70 A

极性 P-CH

耗散功率 42W Tc

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 9.7A

输入电容Ciss 450pF @25VVds

耗散功率Max 42W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SPD09P06PL引脚图与封装图
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SPD09P06PL Infineon 英飞凌 SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SPD09P06PL

品牌: Infineon 英飞凌

封装: DPAK P-CH 60V 9.7A

当前型号

SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

当前型号

型号: SPU09P06PL

品牌: 英飞凌

封装: TO-251-3 P-CH 60V 9.7A

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