
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -9.70 A
极性 P-CH
耗散功率 42W Tc
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 9.7A
输入电容Ciss 450pF @25VVds
耗散功率Max 42W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
SPD09P06PL | Infineon 英飞凌 | SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: SPD09P06PL 品牌: Infineon 英飞凌 封装: DPAK P-CH 60V 9.7A | 当前型号 | SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor | 当前型号 | |
型号: SPU09P06PL 品牌: 英飞凌 封装: TO-251-3 P-CH 60V 9.7A | 功能相似 | SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor | SPD09P06PL和SPU09P06PL的区别 | |
型号: 2SJ315 品牌: 东芝 封装: | 功能相似 | 东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型DC-DC转换4伏栅极驱动低漏源电阻高正向转移导纳低漏电流增强模式 | SPD09P06PL和2SJ315的区别 | |
型号: SPD09P06PLG 品牌: 英飞凌 封装: TO-252-3 P-Channel | 功能相似 | 60V,-9.7A,P沟道功率MOSFET | SPD09P06PL和SPD09P06PLG的区别 |