SPU09P06PL
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
SPU09P06PL中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -9.70 A
通道数 1
漏源极电阻 400 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 42 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 9.70 A
上升时间 168 ns
输入电容Ciss 450pF @25VVds
下降时间 89 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 42W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SPU09P06PL引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SPU09P06PL | Infineon 英飞凌 | SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor | 搜索库存 |
替代型号SPU09P06PL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SPU09P06PL 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-251-3 P-CH 60V 9.7A | 当前型号 | SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor | 当前型号 |
| 型号： SPD09P06PL 品牌： 英飞凌 封装： DPAK P-CH 60V 9.7A | 功能相似 | SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor | SPU09P06PL和SPD09P06PL的区别 |
| 型号： SPD09P06PLG 品牌： 英飞凌 封装： TO-252-3 P-Channel | 功能相似 | 60V,-9.7A,P沟道功率MOSFET | SPU09P06PL和SPD09P06PLG的区别 |
| 型号： RFD8P06LE 品牌： 英特矽尔 封装： | 功能相似 | 8A ， 60V ， 0.300欧姆，额定ESD ，逻辑电平，P沟道功率MOSFET 8A, 60V, 0.300 Ohm, ESD Rated, Logic Level, P-Channel Power MOSFET | SPU09P06PL和RFD8P06LE的区别 |