PIC16F648A-E/SO、PIC16F648A-I/P、PIC16F648AT-E/SO对比区别
型号 PIC16F648A-E/SO PIC16F648A-I/P PIC16F648AT-E/SO
描述 基于闪存的8位CMOS微控制器采用纳瓦技术 Flash-Based, 8-Bit CMOS Microcontrollers with nanoWatt TechnologyMICROCHIP PIC16F648A-I/P 微控制器, 8位, 闪存, PIC16F6xxx, 20 MHz, 7 KB, 256 Byte, 18 引脚, DIP基于闪存的8位CMOS微控制器采用纳瓦技术 Flash-Based, 8-Bit CMOS Microcontrollers with nanoWatt Technology
数据手册 ---
制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)
分类 微控制器微控制器微控制器
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 18 18 18
封装 SOIC-18 PDIP-18 SOIC-18
电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)
时钟频率 20.0MHz (max) 20 MHz 20.0MHz (max)
RAM大小 256 B 256 b 256 B
位数 8 8 8
耗散功率 800 mW 800 mW 800 mW
FLASH内存容量 - 7168 B 7 KB
I/O引脚数 16 16 16
存取时间 20.0 µs 20.0 µs 20.0 µs
内核架构 PIC PIC PIC
工作温度(Max) 125 ℃ 85 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW
频率 - 20 MHz -
工作电压 - 3V ~ 5.5V -
针脚数 - 18 -
内存容量 - 2000 B -
模数转换数(ADC) - 0 -
输入/输出数 - 16 Input -
电源电压 - 3V ~ 5.5V -
电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V -
电源电压(Min) 3 V 3 V -
内核子架构 PIC16 - -
封装 SOIC-18 PDIP-18 SOIC-18
长度 - 23.37 mm -
宽度 7.49 mm 0.28 in -
高度 - 4.95 mm -
工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃ (TA)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -