PIC16F648A-E/SO
数据手册.pdfMicrochip(微芯)
主动器件
PIC16F648A-E/SO中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
时钟频率 20.0MHz max
RAM大小 256 B
位数 8
耗散功率 800 mW
I/O引脚数 16
存取时间 20.0 µs
内核架构 PIC
内核子架构 PIC16
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 800 mW
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 3 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 18
封装 SOIC-18
外形尺寸
宽度 7.49 mm
封装 SOIC-18
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
PIC16F648A-E/SO引脚图与封装图 
PIC16F648A-E/SO引脚图
PIC16F648A-E/SO封装图
PIC16F648A-E/SO封装焊盘图
在线购买PIC16F648A-E/SO
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PIC16F648A-E/SO | Microchip 微芯 | 基于闪存的8位CMOS微控制器采用纳瓦技术 Flash-Based, 8-Bit CMOS Microcontrollers with nanoWatt Technology | 搜索库存 |
替代型号PIC16F648A-E/SO
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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