IRF7910TRPBF、STS5DNF20V对比区别

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型号 IRF7910TRPBF STS5DNF20V

描述 MOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 12V; RDS(ON) 11.5 Milliohms; ID 10A; SO-8; PD 2W; -55degSTMICROELECTRONICS  STS5DNF20V  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.5 A, 20 V, 30 mohm, 4.5 V, 2.7 V

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

漏源极电阻 50 mΩ 30 mΩ

极性 N-Channel Dual N-Channel

耗散功率 2 W 2 W

输入电容 1730pF @6V -

漏源极电压(Vds) 12 V 20 V

漏源击穿电压 12 V 20.0 V

输入电容(Ciss) 1730pF @6V(Vds) 460pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) - 20.0 V

额定电流 - 5.00 A

额定功率 - 1.6 W

针脚数 - 8

阈值电压 - 2.7 V

栅源击穿电压 - ±12.0 V

连续漏极电流(Ids) - 5.00 A

上升时间 - 33 ns

下降时间 - 10 ns

耗散功率(Max) - 2 W

长度 5 mm 5 mm

高度 1.5 mm 1.65 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8

宽度 - 4 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99