漏源极电阻 50 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
输入电容 1730pF @6V
漏源极电压Vds 12 V
漏源击穿电压 12 V
输入电容Ciss 1730pF @6VVds
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF7910TRPBF | International Rectifier 国际整流器 | MOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 12V; RDSON 11.5 Milliohms; ID 10A; SO-8; PD 2W; -55deg | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF7910TRPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: 8-SOIC N-Channel | 当前型号 | MOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 12V; RDSON 11.5 Milliohms; ID 10A; SO-8; PD 2W; -55deg | 当前型号 | |
型号: STS5DNF20V 品牌: 意法半导体 封装: SOIC Dual N-Channel 20V 5A 30mohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STS5DNF20V 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.5 A, 20 V, 30 mohm, 4.5 V, 2.7 V | IRF7910TRPBF和STS5DNF20V的区别 |