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IRF7910TRPBF

IRF7910TRPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件
IRF7910TRPBF中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 50 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

输入电容 1730pF @6V

漏源极电压Vds 12 V

漏源击穿电压 12 V

输入电容Ciss 1730pF @6VVds

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRF7910TRPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRF7910TRPBF International Rectifier 国际整流器 MOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 12V; RDSON 11.5 Milliohms; ID 10A; SO-8; PD 2W; -55deg 搜索库存
替代型号IRF7910TRPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF7910TRPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: 8-SOIC N-Channel

当前型号

MOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 12V; RDSON 11.5 Milliohms; ID 10A; SO-8; PD 2W; -55deg

当前型号

型号: STS5DNF20V

品牌: 意法半导体

封装: SOIC Dual N-Channel 20V 5A 30mohms

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