BLF248、BLF368、MRF141G对比区别

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型号 BLF248 BLF368 MRF141G

描述 甚高频推挽功率MOS晶体管 VHF push-pull power MOS transistor甚高频推挽功率MOS晶体管 VHF push-pull power MOS transistor射频功率场效应管300W ， 175MHz的， 28V RF Power FET 300W, 175MHz, 28V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) M/A-Com

分类 晶体管晶体管晶体管

安装方式 Flange Surface Mount Flange

封装 SOT-262 SOT-262 375-04

引脚数 - 5 5

电源电压(DC) 28.0 V 32.0 V -

额定电压(DC) 65.0 V 65.0 V -

额定电流 25.0 A 25.0 A -

漏源极电压(Vds) 65.0 V 65.0 V -

漏源击穿电压 65.0V (min) 65 V 65.0V (min)

连续漏极电流(Ids) 25.0 A 25.0 A -

输出功率 300 W 300 W 300 W

增益 10.0 dB 13.5 dB 14 dB

漏源极电阻 - 150 mΩ -

耗散功率 - 500 W 500000 mW

阈值电压 - 4.5 V -

上升时间 - 15 ns -

输入电容(Ciss) - 495pF @32V(Vds) 350pF @28V(Vds)

下降时间 - 20 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 65 ℃ -

耗散功率(Max) - 500000 mW 500000 mW

频率 - - 175 MHz

测试电流 - - 500 mA

额定电压 - - 65 V

封装 SOT-262 SOT-262 375-04

长度 - 34.17 mm -

宽度 - 10.29 mm -

高度 - 5.77 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tray Bulk Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 - - NLR