BLF368
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NXP
恩智浦
主动器件
BLF368中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 32.0 V
额定电压DC 65.0 V
额定电流 25.0 A
漏源极电阻 150 mΩ
耗散功率 500 W
阈值电压 4.5 V
漏源极电压Vds 65.0 V
漏源击穿电压 65 V
连续漏极电流Ids 25.0 A
上升时间 15 ns
输出功率 300 W
增益 13.5 dB
输入电容Ciss 495pF @32VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 500000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SOT-262
外形尺寸
长度 34.17 mm
宽度 10.29 mm
高度 5.77 mm
封装 SOT-262
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BLF368引脚图与封装图
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在线购买BLF368
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BLF368 | NXP 恩智浦 | 甚高频推挽功率MOS晶体管 VHF push-pull power MOS transistor | 搜索库存 |
替代型号BLF368
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BLF368 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-262 65V 25A | 当前型号 | 甚高频推挽功率MOS晶体管 VHF push-pull power MOS transistor | 当前型号 |
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