
电源电压DC 28.0 V
额定电压DC 65.0 V
额定电流 25.0 A
漏源极电压Vds 65.0 V
漏源击穿电压 65.0V min
连续漏极电流Ids 25.0 A
输出功率 300 W
增益 10.0 dB
安装方式 Flange
封装 SOT-262
封装 SOT-262
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
BLF248 | NXP 恩智浦 | 甚高频推挽功率MOS晶体管 VHF push-pull power MOS transistor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: BLF248 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT-262-5 65V 25A | 当前型号 | 甚高频推挽功率MOS晶体管 VHF push-pull power MOS transistor | 当前型号 | |
型号: BLF368 品牌: 恩智浦 封装: SOT-262 65V 25A | 类似代替 | 甚高频推挽功率MOS晶体管 VHF push-pull power MOS transistor | BLF248和BLF368的区别 | |
型号: BLF248,112 品牌: 恩智浦 封装: SOT-262A1 | 功能相似 | Trans RF MOSFET N-CH 65V 25A 5Pin CDFM Bulk | BLF248和BLF248,112的区别 | |
型号: MRF141G 品牌: M/A-Com 封装: Case 500000mW | 功能相似 | 射频功率场效应管300W , 175MHz的, 28V RF Power FET 300W, 175MHz, 28V | BLF248和MRF141G的区别 |