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MPSA63RLRM、MPSA63ZL1、MPSA63RLRAG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPSA63RLRM MPSA63ZL1 MPSA63RLRAG

描述 达林顿晶体管PNP硅 Darlington Transistors PNP Silicon达林顿晶体管PNP硅 Darlington Transistors PNP Silicon达林顿晶体管PNP硅 Darlington Transistors PNP Silicon

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

引脚数 - - 3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 625 mW 625 mW 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 5000 10000 @100mA, 5V 10000 @100mA, 5V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) - -30.0 V -30.0 V

额定电流 - -500 mA -500 mA

额定功率(Max) - 625 mW 625 mW

增益带宽 - - 125MHz (Min)

耗散功率(Max) - - 625 mW

长度 5.2 mm 5.2 mm -

宽度 4.19 mm 4.19 mm 4.19 mm

高度 5.33 mm 5.33 mm 5.33 mm

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Ammo Pack Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99