MPSA63ZL1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MPSA63ZL1引脚图与封装图
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在线购买MPSA63ZL1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPSA63ZL1 | ON Semiconductor 安森美 | 达林顿晶体管PNP硅 Darlington Transistors PNP Silicon | 搜索库存 |
替代型号MPSA63ZL1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPSA63ZL1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 PNP -30V -500mA | 当前型号 | 达林顿晶体管PNP硅 Darlington Transistors PNP Silicon | 当前型号 |
| 型号： MPSA63G 品牌： 安森美 封装： TO-92 PNP -30V -500mA 625mW | 完全替代 | 达林顿晶体管PNP硅 Darlington Transistors PNP Silicon | MPSA63ZL1和MPSA63G的区别 |
| 型号： MPSA63RLRAG 品牌： 安森美 封装： TO-92 PNP -30V -500mA 625mW | 完全替代 | 达林顿晶体管PNP硅 Darlington Transistors PNP Silicon | MPSA63ZL1和MPSA63RLRAG的区别 |
| 型号： MPSA63RLRMG 品牌： 安森美 封装： TO-92 PNP -30V -500mA | 完全替代 | 达林顿晶体管PNP硅 Darlington Transistors PNP Silicon | MPSA63ZL1和MPSA63RLRMG的区别 |