锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

MMBT6429LT1、PMBT6429,215、MMBT3904K对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT6429LT1 PMBT6429,215 MMBT3904K

描述 放大器晶体管( NPN硅) Amplifier Transistors(NPN Silicon)PMBT6429 系列 45 V 100 mA 表面贴装 NPN 通用 晶体管 - SOT-23-3NPN外延硅晶体管,通用晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor, General Purpose Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 700 MHz 700 MHz -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.3 W 250 mW 350 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 40 V

集电极最大允许电流 0.2A 0.1A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 500 @100µA, 5V 500 @100µA, 5V 100 @10mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) - 500 @0.1mA, 5V -

额定功率(Max) 225 mW 250 mW 350 mW

直流电流增益(hFE) - 500 30

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 250 mW -

额定电压(DC) 50.0 V - 40.0 V

额定电流 200 mA - 200 mA

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 2.9 mm - -

宽度 1.3 mm - -

高度 0.94 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 - EAR99