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MMBT3904K
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

NPN外延硅晶体管,通用晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor, General Purpose Transistor

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 40V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 200mA/0.2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 300Mhz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 30~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV~300mV 耗散功率PcPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| This device is designed as a general purpose amplifier and switch. The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and to 100 MHz as an amplifier. 描述与应用| 这个装置是专为通用放大器和开关。 有用的动态范围扩展到100毫安作为开关 作为一个放大器100兆赫。

MMBT3904K中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 200 mA

极性 NPN

耗散功率 350 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

额定功率Max 350 mW

直流电流增益hFE 30

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBT3904K引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MMBT3904K Fairchild 飞兆/仙童 NPN外延硅晶体管,通用晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor, General Purpose Transistor 搜索库存
替代型号MMBT3904K
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBT3904K

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-23 NPN 40V 200mA

当前型号

NPN外延硅晶体管,通用晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor, General Purpose Transistor

当前型号

型号: MMBT3904

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOT-23 NPN 40V 200mA 350mW

类似代替

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT3904  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 350 mW, 200 mA, 300 hFE

MMBT3904K和MMBT3904的区别

型号: BSR17A

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOT-23 NPN 40V 200mA 350mW

类似代替

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSR17A  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 350 mW, 200 mA, 100 hFE

MMBT3904K和BSR17A的区别

型号: KST3904MTF

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOT-23 NPN 40V 200mA 350mW

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NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

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