PMBT6429,215
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PMBT6429,215中文资料参数规格
技术参数
频率 700 MHz
极性 NPN
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 500 @100µA, 5V
最大电流放大倍数hFE 500 @0.1mA, 5V
额定功率Max 250 mW
直流电流增益hFE 500
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
PMBT6429,215引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PMBT6429,215
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMBT6429,215 | NXP 恩智浦 | PMBT6429 系列 45 V 100 mA 表面贴装 NPN 通用 晶体管 - SOT-23-3 | 搜索库存 |
替代型号PMBT6429,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMBT6429,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO23-6AB NPN 250mW | 当前型号 | PMBT6429 系列 45 V 100 mA 表面贴装 NPN 通用 晶体管 - SOT-23-3 | 当前型号 |
| 型号： MMBT6429LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 45V 200mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT6429LT1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 700 MHz, 225 mW, 200 mA, 500 hFE | PMBT6429,215和MMBT6429LT1G的区别 |
| 型号： MMBT6429LT1 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 50V 200mA 300mW | 功能相似 | 放大器晶体管（ NPN硅） Amplifier TransistorsNPN Silicon | PMBT6429,215和MMBT6429LT1的区别 |