FDS6670AS、FDS6670S、FDS6670AS_NL对比区别

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型号 FDS6670AS FDS6670S FDS6670AS_NL

描述 PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

引脚数 8 - -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 13.5 A 13.5 A 13.5A

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 13.5 A - -

漏源极电阻 9.00 mΩ 9.00 mΩ -

耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W -

输入电容 1.54 nF - -

栅电荷 27.0 nC - -

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V 10.0 V -

上升时间 5 ns - -

输入电容(Ciss) 1540pF @15V(Vds) - -

额定功率(Max) 1 W - -

下降时间 18 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -