FDS6670S
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS6670S中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 9.00 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 10.0 V
连续漏极电流Ids 13.5 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDS6670S引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDS6670S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS6670S | Fairchild 飞兆/仙童 | 30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET | 搜索库存 |
替代型号FDS6670S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS6670S 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SO N-Channel 30V 13.5A 9mohms | 当前型号 | 30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET | 当前型号 |
| 型号： FDS6670AS 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 30V 13.5A 9mohms 1.54nF | 类似代替 | PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FDS6670S和FDS6670AS的区别 |
| 型号： FDS6670AS_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-CH 30V 13.5A | 功能相似 | 30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET | FDS6670S和FDS6670AS_NL的区别 |