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MC33152DR2G、UCC27324PE4、MC33152DR2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MC33152DR2G UCC27324PE4 MC33152DR2

描述 ON SEMICONDUCTOR  MC33152DR2G  MOSFET Driver, 6.1V-18V supply, SOIC-8 新双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers高速双MOSFET驱动器 HIGH SPEED DUAL MOSFET DRIVERS

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 PDIP-8 SOIC-8

电源电压(DC) 18.0V (max) - 18.0V (max)

上升/下降时间 36ns, 32ns 20ns, 15ns 36ns, 32ns

输出接口数 2 2 2

耗散功率 0.56 W 780 mW 560 mW

上升时间 36 ns 23 ns 36 ns

下降时间 32 ns 23 ns 32 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 40 ℃

电源电压 6.1V ~ 18V 4.5V ~ 15V 6.1V ~ 18V

电源电压(Min) 6.1 V 4 V 6.5 V

工作电压 6.1V ~ 18V - -

无卤素状态 Halogen Free - -

针脚数 8 - -

输出电流(Max) 1.5 A - -

耗散功率(Max) 560 mW 780 mW -

电源电压(Max) 18 V 15 V -

输出电流 - 4 A -

下降时间(Max) - 40 ns -

上升时间(Max) - 40 ns -

封装 SOIC-8 PDIP-8 SOIC-8

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99