LD1117V33、LE33ABD、LM1117T-3.3/NOPB对比区别

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型号 LD1117V33 LE33ABD LM1117T-3.3/NOPB

描述 STMICROELECTRONICS  LD1117V33  稳压器, 固定LDO, 15V输入, 1.1V压差, 3.3V/800mA输出, TO-220-3非常低压降稳压器与抑制 VERY LOW DROP VOLTAGE REGULATORS WITH INHIBITTEXAS INSTRUMENTS  LM1117T-3.3/NOPB  稳压器, 固定LDO, 15V输入, 1.2V压差, 3.3V/800mA输出, TO-220-3

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器)

分类 稳压芯片稳压芯片稳压芯片

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 8 3

封装 TO-220-3 SOIC-8 TO-220-3

工作电压 0V ~ 15V - 1.25V ~ 15V

额定电流 - - 800 A

输出接口数 1 1 1

输入电压(DC) 10.0V (max) 18.0V (max) 15.0V (max)

输出电压 3.3 V 3.3 V 3.3 V

输出电流 800 mA 100 mA 800 mA

供电电流 10 mA - 5mA ~ 10mA

通道数 - - 1

针脚数 3 - 3

静态电流 5 mA - 5 mA

输出电容类型 - - Tantalum

跌落电压 1.1 V 0.2V @100mA 1.2 V

调节输出数 - - 1

输入电压(Max) 15 V 18 V 15 V

输入电压(Min) - - 2.6 V

输出电压(Min) 3.3 V - 3.3 V

输出电流(Max) 1.3 A 0.1 A 0.8 A

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

精度 ±1 % ±1 % ±1 %

输入电压 15 V ≤18 V 15 V

电源电压(DC) 15.0V (max) - -

耗散功率 12 W - -

耗散功率(Max) 12000 mW - -

电源电压(Min) 4.75 V - -

长度 10.4 mm - 10.16 mm

宽度 4.6 mm - 4.7 mm

高度 9.15 mm - 8.89 mm

封装 TO-220-3 SOIC-8 TO-220-3

工作温度 0℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99