STB24NM65N、STP55NF06、STL26NM60N对比区别

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型号 STB24NM65N STP55NF06 STL26NM60N

描述 STMICROELECTRONICS  STB24NM65N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19 A, 650 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 VMOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STL26NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 5

封装 TO-263-3 TO-220-3 PowerFlat-4

针脚数 3 3 5

漏源极电阻 0.16 Ω 0.015 Ω 0.16 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 160 W 30 W 125 W

阈值电压 3 V 3 V 4 V

漏源极电压(Vds) 650 V 60 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 19A 50.0 A 19A

上升时间 10 ns 50 ns 25 ns

输入电容(Ciss) 2500pF @50V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 1800pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 160 W 110 W 125 mW

下降时间 20 ns 15 ns 50 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 160W (Tc) 110W (Tc) 125mW (Ta), 3W (Tc)

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 50.0 A -

额定功率 - 110 W -

通道数 1 1 -

漏源击穿电压 650 V 60.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

封装 TO-263-3 TO-220-3 PowerFlat-4

长度 10.4 mm 10.4 mm -

宽度 9.35 mm 4.6 mm -

高度 4.6 mm 9.15 mm -

材质 - - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17