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BC858CE6327HTSA1、BC859CE6327HTSA1、BC859CLT1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC858CE6327HTSA1 BC859CE6327HTSA1 BC859CLT1

描述 Infineon BC858CE6327HTSA1 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:125, 3引脚 SOT-23封装SOT-23 PNP 30V 0.1A通用晶体管 General Purpose Transistors

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -30.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 0.33 W 330 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V

额定功率(Max) 330 mW 330 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 330 mW 330 mW 300 mW

频率 250 MHz - -

增益频宽积 250 MHz - -

最大电流放大倍数(hFE) 800 - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 2.9 mm - 2.9 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

高度 0.9 mm - 0.94 mm

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead