BC859CE6327HTSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BC859CE6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 330 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 330 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 330 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BC859CE6327HTSA1引脚图与封装图
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在线购买BC859CE6327HTSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC859CE6327HTSA1 | Infineon 英飞凌 | SOT-23 PNP 30V 0.1A | 搜索库存 |
替代型号BC859CE6327HTSA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC859CE6327HTSA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOT-23 PNP -30V -100mA 330mW | 当前型号 | SOT-23 PNP 30V 0.1A | 当前型号 |
| 型号： BC858CE6433HTMA1 品牌： 英飞凌 封装： SOT-23 PNP -30V -100mA | 完全替代 | Infineon BC858CE6433HTMA1 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:125, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装 | BC859CE6327HTSA1和BC858CE6433HTMA1的区别 |
| 型号： BC858CE6327HTSA1 品牌： 英飞凌 封装： SOT-23 PNP -30V -100mA 0.33W | 类似代替 | Infineon BC858CE6327HTSA1 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:125, 3引脚 SOT-23封装 | BC859CE6327HTSA1和BC858CE6327HTSA1的区别 |