ADR425BRZ-REEL7、ADR435ARZ-REEL7、ADR425BR-REEL7对比区别

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型号 ADR425BRZ-REEL7 ADR435ARZ-REEL7 ADR425BR-REEL7

描述 超精密，低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET®电压基准 Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET® Voltage References超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability超精密低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ADI (亚德诺)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

容差 ±0.04 % ±0.12 % ±0.04 %

输入电压(DC) 18.0V (max) 18.0V (max) 18.0V (max)

输出电压 5 V 5 V 5 V

输出电流 10 mA 30 mA 10 mA

供电电流 600 µA 800 µA 600 µA

通道数 1 1 1

输入电压(Max) 18 V 20 V 18 V

输出电压(Max) 5 V 5 V -

输出电压(Min) 5 V 5 V 5 V

输出电流(Max) 10 mA 30 mA 10 mA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

精度 ±0.04 % ±0.12 % ±0.04 %

输入电压 7V ~ 18V 7V ~ 18V 7V ~ 18V

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ (TA)

温度系数 ±3 ppm/℃ ±10 ppm/℃ ±3 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 NLR - -