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ADR435ARZ-REEL7

ADR435ARZ-REEL7

数据手册.pdf
ADI(亚德诺) 主动器件

超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability

GENERAL DESCRIPTION

The ADR43x series is a family of XFET voltage references featuring low noise, high accuracy, and low temperature drift performance. Using ’s patented temperature drift curvature correction and XFET eXtra implanted junction FET technology, the ADR43x’s voltage change versus temperature nonlinearity is minimized.

FEATURES

Low noise 0.1 Hz to 10 Hz: 3.5 µV p-p @ 2.5 V output

No external capacitor required

Low temperature coefficient

   A Grade: 10 ppm/°C max

   B Grade: 3 ppm/°C max

Load regulation: 15 ppm/mA

Line regulation: 20 ppm/V

Wide operating range

   ADR430: 4.1 V to 18 V

   ADR431: 4.5 V to 18 V

   ADR433: 5.0 V to 18 V

   ADR434: 6.1 V to 18 V

   ADR435: 7.0 V to 18 V

   ADR439: 6.5 V to 18 V

High output current: +30 mA/−20 mA

Wide temperature range: −40°C to +125°C

APPLICATIONS

Precision data acquisition systems

High resolution data converters

Medical instruments

Industrial process control systems

Optical control circuits

Precision instruments

ADR435ARZ-REEL7中文资料参数规格
技术参数

容差 ±0.12 %

输入电压DC 18.0V max

输出电压 5 V

输出电流 30 mA

供电电流 800 µA

通道数 1

输入电压Max 20 V

输出电压Max 5 V

输出电压Min 5 V

输出电流Max 30 mA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

精度 ±0.12 %

输入电压 7V ~ 18V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TA

温度系数 ±10 ppm/℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

ADR435ARZ-REEL7引脚图与封装图
ADR435ARZ-REEL7引脚图

ADR435ARZ-REEL7引脚图

ADR435ARZ-REEL7封装图

ADR435ARZ-REEL7封装图

ADR435ARZ-REEL7封装焊盘图

ADR435ARZ-REEL7封装焊盘图

在线购买ADR435ARZ-REEL7
型号 制造商 描述 购买
ADR435ARZ-REEL7 ADI 亚德诺 超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability 搜索库存
替代型号ADR435ARZ-REEL7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ADR435ARZ-REEL7

品牌: ADI 亚德诺

封装: SOIC-8 5V 30mA 8Pin

当前型号

超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability

当前型号

型号: ADR435BRZ-REEL7

品牌: 亚德诺

封装: SOIC 5V 30mA 8Pin

完全替代

5 V,Analog Devices### 电压参考,Analog Devices精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。

ADR435ARZ-REEL7和ADR435BRZ-REEL7的区别

型号: ADR425BRZ-REEL7

品牌: 亚德诺

封装: SOIC 5V 10mA 8Pin

完全替代

超精密,低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET®电压基准 Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET® Voltage References

ADR435ARZ-REEL7和ADR425BRZ-REEL7的区别

型号: ADR435BRZ

品牌: 亚德诺

封装: NSOIC 5V 30mA 8Pin

类似代替

ANALOG DEVICES  ADR435BRZ.  芯片, 电压基准, 5V

ADR435ARZ-REEL7和ADR435BRZ的区别