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ADR425BR-REEL7

ADR425BR-REEL7

数据手册.pdf
ADI(亚德诺) 主动器件

超精密低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References

Series Voltage Reference IC ±0.04% 8-SOIC


得捷:
IC VREF SERIES 0.04% 8SOIC


艾睿:
V-Ref Precision 5V 10mA 8-Pin SOIC N T/R


安富利:
V-Ref Precision 5V 10mA 8-Pin SOIC N T/R


Chip1Stop:
V-Ref Precision 5V 10mA 8-Pin SOIC N T/R


Win Source:
Series Voltage Reference IC ±0.04% 10mA 8-SOIC 0.154", 3.90mm Width


ADR425BR-REEL7中文资料参数规格
技术参数

容差 ±0.04 %

输入电压DC 18.0V max

输出电压 5 V

输出电流 10 mA

供电电流 600 µA

通道数 1

输入电压Max 18 V

输出电压Min 5 V

输出电流Max 10 mA

精度 ±0.04 %

输入电压 7V ~ 18V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TA

温度系数 ±3 ppm/℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

ADR425BR-REEL7引脚图与封装图
ADR425BR-REEL7引脚图

ADR425BR-REEL7引脚图

ADR425BR-REEL7封装图

ADR425BR-REEL7封装图

ADR425BR-REEL7封装焊盘图

ADR425BR-REEL7封装焊盘图

在线购买ADR425BR-REEL7
型号 制造商 描述 购买
ADR425BR-REEL7 ADI 亚德诺 超精密低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References 搜索库存
替代型号ADR425BR-REEL7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： ADR425BR-REEL7

品牌： ADI 亚德诺

封装： SOIC 5V 10mA 8Pin

当前型号

超精密低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References

当前型号

型号： ADR425BRZ-REEL7

品牌： 亚德诺

封装： SOIC 5V 10mA 8Pin

完全替代

超精密，低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET®电压基准 Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET® Voltage References

ADR425BR-REEL7和ADR425BRZ-REEL7的区别

型号： ADR425BR

品牌： 亚德诺

封装： SOIC 5V 10mA 8Pin

完全替代

超精密低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References

ADR425BR-REEL7和ADR425BR的区别