APT14M100B、STW12NK95Z、IXFH14N100Q2对比区别

高亮显示差异参数

型号 APT14M100B STW12NK95Z IXFH14N100Q2

描述 N沟道MOSFET N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS  STW12NK95Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 950 V, 0.69 ohm, 10 V, 3.75 VIXYS SEMICONDUCTOR  IXFH14N100Q2  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 1 kV, 900 mohm, 10 V, 5 V

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管中高压MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 1.00 kV 950 V -

额定电流 14.0 A 10.0 A -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.69 Ω 0.9 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 500 W 230 W 500 W

阈值电压 - 3.75 V 5 V

输入电容 3.97 nF 3500 pF -

栅电荷 120 nC 113 nC -

漏源极电压(Vds) 1000 V 950 V 1 kV

漏源击穿电压 - 950 V -

栅源击穿电压 - 30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 14.0 A 10.0 A 14.0 A

上升时间 29 ns 20 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 3965pF @25V(Vds) 3500pF @25V(Vds) 2700pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 230 W -

下降时间 26 ns 55 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500W (Tc) 230W (Tc) 500W (Tc)

长度 21.46 mm 15.75 mm 16.26 mm

宽度 16.26 mm 5.15 mm 5.3 mm

高度 5.31 mm 20.15 mm 21.46 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

重量 - - 6.00 g

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 -