APT14M100B
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT14M100B中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 14.0 A
极性 N-CH
耗散功率 500 W
输入电容 3.97 nF
栅电荷 120 nC
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 14.0 A
上升时间 29 ns
输入电容Ciss 3965pF @25VVds
下降时间 26 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 21.46 mm
宽度 16.26 mm
高度 5.31 mm
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT14M100B引脚图与封装图
暂无图片
在线购买APT14M100B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT14M100B | Microsemi 美高森美 | N沟道MOSFET N-Channel MOSFET | 搜索库存 |
替代型号APT14M100B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT14M100B 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-247 N-CH 1kV 14A 3.97nF | 当前型号 | N沟道MOSFET N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STW12NK95Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-247 N-Channel 950V 10A 690mΩ 3.5nF | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STW12NK95Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 950 V, 0.69 ohm, 10 V, 3.75 V | APT14M100B和STW12NK95Z的区别 |
| 型号： IXFH14N100Q2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-Channel 1000V 14A | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFH14N100Q2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 1 kV, 900 mohm, 10 V, 5 V | APT14M100B和IXFH14N100Q2的区别 |