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DTA114EKAT146、DTA114EUAFRAT106、MUN2111T1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTA114EKAT146 DTA114EUAFRAT106 MUN2111T1G

描述 ROHM  DTA114EKAT146  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SC-59ROHM  DTA114EUAFRAT106  晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-323ON SEMICONDUCTOR  MUN2111T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SC-59

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-323 SOT-23-3

额定电压(DC) -50.0 V - -50.0 V

额定电流 -50.0 mA - -100 mA

额定功率 0.2 W - -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 0.2 W - 0.338 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 30 @5mA, 5V - 35 @5mA, 10V

额定功率(Max) 200 mW - 230 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

增益带宽 250 MHz - -

耗散功率(Max) 200 mW - 338 mW

无卤素状态 - - Halogen Free

最大电流放大倍数(hFE) - - 35

长度 2.9 mm - 2.9 mm

宽度 1.6 mm - 1.5 mm

高度 1.1 mm - 1.09 mm

封装 SOT-23-3 SOT-323 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Not Recommended Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 NLR - -