MUN2111T1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 0.338 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 35 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 35
额定功率Max 230 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 338 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.5 mm
高度 1.09 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
MUN2111T1G引脚图与封装图 
MUN2111T1G引脚图
MUN2111T1G封装焊盘图
在线购买MUN2111T1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MUN2111T1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR MUN2111T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SC-59 | 搜索库存 |
替代型号MUN2111T1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MUN2111T1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SC-59 PNP -50V -100mA 338mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR MUN2111T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SC-59 | 当前型号 |
| 型号： MUN2111T3 品牌： 安森美 封装： SC-59 PNP -50V -100mA | 完全替代 | SC-59 PNP 50V 100mA | MUN2111T1G和MUN2111T3的区别 |
| 型号： MUN2111T1 品牌： 安森美 封装： SOT-23/SC-59 PNP -50V -100mA | 类似代替 | MUN2111T1 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 60 0.338W/338mW SOT-23/SC-59 标记6A 开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路 | MUN2111T1G和MUN2111T1的区别 |
| 型号： MUN2111T3G 品牌： 安森美 封装： SC-59 PNP -50V -100mA | 类似代替 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors | MUN2111T1G和MUN2111T3G的区别 |